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Silicon Carbide wafers

SiC 项目

项目阶段 · SPV · 碳化硅制造与集成研发 · 依据《欧洲芯片法案》设计

项目概述

SiC 项目是一个分阶段推进的工业基础设施项目,聚焦高纯度碳化硅材料。

覆盖晶体生长、晶圆加工与外延,并逐步扩展至工业化产能。

项目被设计为长期工业资产,而非一次性制造设施。

项目阶段与 SPV

项目通过设立专门的项目公司(SPV)推进。

所有关键决策均基于技术与资本里程碑。

该结构确保激励效应与执行纪律。

战略材料

碳化硅是电动交通、能源系统与工业电子的关键材料。

欧洲在该领域仍高度依赖外部供应。

项目旨在建立可控的工业能力。

制造与研发一体化

制造能力与研发体系从一开始即集成设计。

研发支持工艺认证、良率优化与受控规模化。

避免研发与工业化执行之间的断层。

资本结构

项目具有显著的资本密集特征。

投资按阶段推进,与技术成熟度同步。

资本纪律是项目核心组成部分。

政策与监管

项目依据《欧洲芯片法案》与相关产业政策设计。

聚焦供应链韧性与技术主权。

监管要求作为设计前提条件。

供应链韧性

项目针对欧洲碳化硅供应链中的结构性缺口。

关键材料与工艺能力被锚定在欧盟内部。

韧性来源于工程化与治理架构。

治理与监督架构

治理、合规、融资与项目执行构成统一体系。

项目为机构尽职调查做好准备。

从一开始即按基础设施级别标准设计。